快科技4月17日音书高合 自慰，日前，复旦大学通知，时隔2周，继二维半导体芯片之后，复旦集成电路领域再获关键突破。

据先容，复旦大学周鹏、刘春森团队通过构建准二维泊松模子，在表面上瞻望了超注入征象，突破了现存存储速率的表面极限，研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件。

其擦写速率可援助至亚1纳秒（400皮秒），相配于每秒可扩充25亿次操作，性能颠倒同本事节点来全国最快的易失性存储SRAM本事。

相关后果以《亚纳秒超注入闪存》为题在《当然》期刊上发表。

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据了解，这是迄今为止全国上最快的半导体电荷存储本事，达成了存储、狡计速率相配，在完成领域化集成后有望透顶颠覆现存的存储器架构。

在该本事基础上，改日的个东说念主电脑将不存在内存和外存的看法，无需分层存储，还能达成AI大模子的土产货部署。

团队将“破晓”与CMOS长入，以此打造出的Kb级芯片当今已凯旋流片，下一步，筹画在3-5年将其集成到几十兆的水平，届时可授权给企业进行产业化。

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